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SK海力士宣布业内首款4D闪存年末出样澳门巴黎人blr8826

时间:2020-02-16 13:32

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2018全球闪存技术峰会正在热火热荼的进行中,各家纷纷亮剑拿出杀手锏来吸引眼球,SK Hynix方面则宣布了3D NAND技术后的替代者4D闪存技术,宣称芯片面积更小、容量更大、性能更强、成本更低。据悉,海力士4D闪存将于今年四季度开始出样,初步定于2019年上半年出货。

SK海力士宣布业内首款4D闪存年末出样澳门巴黎人blr8826。据了解,SK海力士第一款4D闪存是V5 512Gb TLC、单芯13mm²,比3D减小20%体积、采用96层堆叠技术,BGA封装可以做到1Tb,模组最大2TB,能轻松在2.5寸的U.2中做到64TB超大容量。性能方面,I/O接口速率1.2Gbps,读速提升30%、写速提升25%。

除了TLC方案,V5 4D闪存也将会推出QLC类型颗粒,同样采用96层堆叠,单Die最小1Tb,具体细节暂未透露,最快要等到明年下半年才会出样。

其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了,东芝/西数的BiCS亦是如此。当然,美光/Intel还是坚持浮栅,不过这倒无所谓,毕竟他们有更厉害的3D Xpoint。

接下来,SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。

从现场给出的技术演示来看,4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

参数方面,号称业内第一款4D闪存是V5 512Gb TLC,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps、面积13平方毫米,今年第四季度出样。

BGA封装的可以做到1Tb,模组最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出样。

性能方面,V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。

另外,V5 4D也规划了QLC闪存,通过96层堆叠,单Die最小1Tb,明年下半年出样。

展望

SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠,很快可以做到单芯片512GB,2025年做到单芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72层堆叠,单芯片最大512Gb,首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。

文章来源:快科技